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D44H11

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D44H11. Costo): 130pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: D44H11. Equivalenti: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tf(massimo): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) D45H11. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 01:25.

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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Resistenza B: transistor di potenza NPN. Resistenza BE: 100V. C(in): 15A. Costo): 90W. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD912. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Resistenza B: transistor di potenza NPN. Resistenza BE: 100V. C(in): 15A. Costo): 90W. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD912. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Corrente del collettore: 15A. Pd (diss...
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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD912. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD912. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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