CSD17313Q2T

CSD17313Q2T. C(in): 260pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 57A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 1uA. Numero di terminali: 6. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 17W. Rds sulla resistenza attiva: 0.024...0.042 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 4.2 ns. Td(acceso): 2.8 ns. Tecnologia: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Alloggiamento: WSON6. Custodia (secondo scheda tecnica): Custodia in plastica da 2 mm × 2 mm. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1.8V. Vgs(esimo) min.: 0.9V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 01:25.