ECW20P20

ECW20P20. Piedinatura: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 1850pF. Costo): 850pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Varie: Amplificatore di potenza HI-FI. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Amplificatore di POTENZA AUDIO MOSFET. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 105 ns. Td(acceso): 150 ns. Tecnologia: Transistor di potenza MOSFET a canale P. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 1.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.1V. Spec info: transistor complementare (coppia) ECW20N20. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 02:25.