Transistor

Tipo di canale: N. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massima: 79A. Potenza: 310W. Alloggiamento: TO-220AB. Funzione: Convertitori di tensione DC/DC e inverter UPS. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 56A. ID (T=25°C): 79A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 150V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Tensione drain-source (Vds): 150V. Protezione GS: NINCS

C(in): 6000pF. Costo): 820pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 64 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori di tensione DC/DC e inverter UPS. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. Rds sulla resistenza attiva: 0.009 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 2880pF. Costo): 3990pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 62 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori di tensione DC/DC e inverter UPS. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 61A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

C(in): 945pF. Costo): 155pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 315 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 46A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11.5A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.46 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: UniFET TM II MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: Carica gate bassa (tipica 23nC), Crss basso 14pF. Protezione GS: sì

C(in): 480pF. Costo): 66pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 28W. Rds sulla resistenza attiva: 1.15 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: Carica gate bassa (tipico 11nC), Crss basso 5pF. Protezione GS: NINCS

C(in): 720pF. Costo): 95pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 40 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31.5W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 6 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: UniFET Ultra FRMOS MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: Carica gate bassa (tipica 12nC), Crss basso 9pF. Protezione GS: NINCS

C(in): 1604pF. Costo): 408pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.015 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 13 ns. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 1V. Tecnologia: canale P. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 2010pF. Costo): 590pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 36ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.015 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 12 ns. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Tecnologia: canale P. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1385pF. Costo): 275pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: regolatore di carica della batteria. Id(imp): 50A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 10 ns. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Tecnologia: canale P. Spec info: Livello di protezione ESD HBM di 3,8 kV. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: sì

Tipo di canale: N-P. Condizionamento: rotolo. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: omplementary PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Unità di condizionamento: 2500. Spec info: Transistor a canale N (Q1), transistor a canale P (Q2)

Tipo di canale: P. Funzione: MOSFET a canale P doppio PowerTrench 30V. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Quantità per scatola: 2. Tecnologia: canale P. Spec info: td(on) 13ns, td(off) 48ns

Tipo di canale: P. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Tecnologia: canale P. Spec info: td(on) 12ns, td(off) 68ns

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: FDS6670A. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 13A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 19 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 64 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2220pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 200 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2470pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 1. Marcatura del produttore: Gamma VGS estesa (-25 V) per applicazioni alimentate a batteria. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 120ns. Td(acceso): 3 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: FDS6675BZ

C(in): 2890pF. Costo): 500pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 40 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 65A. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): n/a. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 7.7m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 210 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 1205pF. Costo): 290pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2500. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 24 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 9.8m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: controllo del livello logico. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): 8.2A. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: FDS6900AS. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.2A/6.9A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms / 0.038 Ohms @ 8.2/6.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 29 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 570pF/600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: FDS6912. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms/0.028 Ohms @ 6A/6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 29 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 740pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 475pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 33 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 19m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 5 ns. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1.2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N-P. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2)

C(in): 760pF. Costo): 155pF. Tipo di canale: N-P. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N-P. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: doppio transistor MOSFET, Canali N e P, PowerTrench . Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Quantità per scatola: 2. Funzione: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: FDS9435A. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 528pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Custodia (standard JEDEC): 1. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: P-Channel PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 1V

Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 15 ns. ID (T=100°C): 5.4A. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.030 Ohms. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: P. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Spec info: 0.075 Ohms