FDPF12N50NZ

FDPF12N50NZ. C(in): 945pF. Costo): 155pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 315 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 46A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11.5A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.46 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: UniFET TM II MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: Carica gate bassa (tipica 23nC), Crss basso 14pF. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 22:25.