FDS6900AS

FDS6900AS. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): 8.2A. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: FDS6900AS. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.2A/6.9A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms / 0.038 Ohms @ 8.2/6.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 29 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 570pF/600pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 05:25.