FDS4435

FDS4435. C(in): 1604pF. Costo): 408pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.015 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 13 ns. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 1V. Tecnologia: canale P. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 05:25.