FDS6675BZ

FDS6675BZ. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 200 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2470pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 1. Marcatura del produttore: Gamma VGS estesa (-25 V) per applicazioni alimentate a batteria. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 120ns. Td(acceso): 3 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: FDS6675BZ. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 05:25.