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Transistor a canale N, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - FDP3632

Transistor a canale N, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - FDP3632
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Transistor a canale N, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-247, TO-247-3, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (...
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Transistor a canale N, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-247, TO-247-3, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.009 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247-3. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 6000pF. Costo): 820pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 64 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori di tensione DC/DC e inverter UPS. Id(imp): 80A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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Transistor a canale N, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-247, TO-247-3, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.009 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247-3. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 6000pF. Costo): 820pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 64 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori di tensione DC/DC e inverter UPS. Id(imp): 80A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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