FDPF5N50T

FDPF5N50T. C(in): 480pF. Costo): 66pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 28W. Rds sulla resistenza attiva: 1.15 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: Carica gate bassa (tipico 11nC), Crss basso 5pF. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 09:25.