FDS6679AZ

FDS6679AZ. C(in): 2890pF. Costo): 500pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 40 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 65A. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): n/a. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 7.7m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 210 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.