Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.71€ | 2.09€ |
5 - 9 | 1.62€ | 1.98€ |
10 - 24 | 1.54€ | 1.88€ |
25 - 49 | 1.45€ | 1.77€ |
50 - 99 | 1.42€ | 1.73€ |
100 - 249 | 1.38€ | 1.68€ |
250 - 2503 | 1.31€ | 1.60€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.71€ | 2.09€ |
5 - 9 | 1.62€ | 1.98€ |
10 - 24 | 1.54€ | 1.88€ |
25 - 49 | 1.45€ | 1.77€ |
50 - 99 | 1.42€ | 1.73€ |
100 - 249 | 1.38€ | 1.68€ |
250 - 2503 | 1.31€ | 1.60€ |
FDS8958B. C(in): 760pF. Costo): 155pF. Tipo di canale: N-P. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.
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