Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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FDS8958A

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FDS8958A. Tipo di canale: N-P. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2). Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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Tipo di canale: N-P. Marcatura sulla cassa: F7319. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P-HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Nota: ( = P23AF 4532 SMD ). Nota: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms
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Tipo di canale: N-P. Marcatura sulla cassa: F7319. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: N&P-HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Nota: ( = P23AF 4532 SMD ). Nota: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms
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C(in): 760pF. Costo): 155pF. Tipo di canale: N-P. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
FDS8958B
C(in): 760pF. Costo): 155pF. Tipo di canale: N-P. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2. Funzione: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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