FDN358P

FDN358P. C(in): 182pF. Costo): 56pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Single P-Channel, Logic Level. Id(imp): 5A. ID (T=25°C): 1.5A. Ids: 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 358. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.105 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 03:25.