Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 3.45€ | 4.21€ |
5 - 9 | 3.28€ | 4.00€ |
10 - 24 | 3.10€ | 3.78€ |
25 - 49 | 2.93€ | 3.57€ |
50 - 99 | 2.86€ | 3.49€ |
100 - 249 | 2.79€ | 3.40€ |
250 - 258 | 2.69€ | 3.28€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.45€ | 4.21€ |
5 - 9 | 3.28€ | 4.00€ |
10 - 24 | 3.10€ | 3.78€ |
25 - 49 | 2.93€ | 3.57€ |
50 - 99 | 2.86€ | 3.49€ |
100 - 249 | 2.79€ | 3.40€ |
250 - 258 | 2.69€ | 3.28€ |
FDD6672A. C(in): 5070pF. Costo): 550pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore di tensione CC/CC. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 65A. Idss (massimo): 1uA. Nota: Transistor con controllo a livello logico. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 8.2M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 69 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Power Trench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 03:25.
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