FDN338P

FDN338P. C(in): 451pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Gestione della batteria. Id(imp): 5A. ID (T=25°C): 1.6A. Idss (massimo): 0.1uA. ID (min): n/a. Nota: serigrafia/codice SMD 338. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.088 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Specified PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 20V. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.4V. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 03:25.