FDD4141

FDD4141. C(in): 2085pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "Tecnologia delle trincee ad alte prestazioni". Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 58A. Idss (massimo): 1uA. Nota: Transistor con controllo a livello logico. Marcatura sulla cassa: FDD4141. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 69W. Rds sulla resistenza attiva: 12.3m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: resistenza RDS(on) estremamente bassa. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 03:25.