FDD6635

FDD6635. C(in): 1400pF. Costo): 317pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 26 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 59A. Idss (massimo): 59A. Marcatura sulla cassa: FDD6635. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 08:25.