FDC638P

FDC638P. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23/6. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 6. Marcatura del produttore: .638. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 33 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1160pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.6W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 03:25.