Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V - FJP13007H2

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V - FJP13007H2
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V - FJP13007H2. Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 39. Guadagno hFE minimo: 26. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: J13007-2. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Prodotto originale del produttore Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 00:25.

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MJE13007-CDIL

MJE13007-CDIL

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MJE13007-CDIL
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 14 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Spec info: Commutazione ad alta velocità. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza bipolare. Tf(massimo): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 9V
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 14 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Spec info: Commutazione ad alta velocità. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza bipolare. Tf(massimo): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 9V
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MJE13007

MJE13007

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Cust...
MJE13007
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 14 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Spec info: Commutazione ad alta velocità. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza bipolare. Tf(massimo): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 9V
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 14 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Spec info: Commutazione ad alta velocità. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza bipolare. Tf(massimo): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 9V
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1N4007
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MJE13007-CDIL

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MJE13007-CDIL
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Tensione CC: 450V. Capacità: 100uF. Diametro: 25mm. Durata di vita: 2000 ore. Lunghezza: 30mm. Conf...
CEL100UF450V
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ST13007A

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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Cust...
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BUL38D

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BUL38D
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B1000D

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VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 1A. Do: 25pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: P...
B1000D
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1N4004

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1N4004
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IRFP3206

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Transistor a canale N, 140A, 200A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. ID (T=100°C): 140A. ID ...
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FJP13007

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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custod...
FJP13007
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