Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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FJP13007H2

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FJP13007H2. Costo): 110pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 39. Guadagno hFE minimo: 26. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: J13007-2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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