Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor

FJAF6810D

FJAF6810D
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 3.29€ 4.01€
5 - 9 3.12€ 3.81€
10 - 24 2.96€ 3.61€
25 - 49 2.79€ 3.40€
50 - 99 2.73€ 3.33€
100 - 142 2.66€ 3.25€
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Set da 1

FJAF6810D. Condizionamento: tubo di plastica. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Display a colori High V Hor Defl (con diodo smorzatore) . Guadagno hFE massimo: 8:1. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: J6810D. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Nota: serigrafato J6810. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 06:25.

Documentazione tecnica

Prodotti equivalenti :

Esaurito
KSC5386TU

KSC5386TU

Resistenza BE: 10. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per s...
KSC5386TU
Resistenza BE: 10. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: High Switching 0.1us. Guadagno hFE massimo: 22. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 7A. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5386. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 4.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
KSC5386TU
Resistenza BE: 10. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: High Switching 0.1us. Guadagno hFE massimo: 22. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 7A. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5386. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 4.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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