FJL6820
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 23.16€ | 28.26€ |
| 2 - 2 | 22.00€ | 26.84€ |
| 3 - 4 | 20.85€ | 25.44€ |
| 5 - 9 | 19.69€ | 24.02€ |
| 10 - 14 | 19.22€ | 23.45€ |
| 15 - 19 | 18.76€ | 22.89€ |
| 20+ | 18.07€ | 22.05€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 23.16€ | 28.26€ |
| 2 - 2 | 22.00€ | 26.84€ |
| 3 - 4 | 20.85€ | 25.44€ |
| 5 - 9 | 19.69€ | 24.02€ |
| 10 - 14 | 19.22€ | 23.45€ |
| 15 - 19 | 18.76€ | 22.89€ |
| 20+ | 18.07€ | 22.05€ |
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FJL6820. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Monitor da 19 pollici. Spec info: VEBO 6V. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 06:25.
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Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 12:1. Guadagno hFE minimo: 6. Corrente del collettore: 17A. Ic(impulso): 30A. Marcatura sulla cassa: C5583. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TOP-3L. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Funzione: Samsung Monitor 19 inch. Spec info: Tipo mesa a tripla diffusione
Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 12:1. Guadagno hFE minimo: 6. Corrente del collettore: 17A. Ic(impulso): 30A. Marcatura sulla cassa: C5583. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TOP-3L. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Funzione: Samsung Monitor 19 inch. Spec info: Tipo mesa a tripla diffusione
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Condizionamento: tubo di plastica. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 5.5. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 30A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 25
Condizionamento: tubo di plastica. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 5.5. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 30A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 25
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