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2SC5966

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2SC5966. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Ultrahigh-Definition CRT Display, High-speed.. Guadagno hFE massimo: 15. Guadagno hFE minimo: 4. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 40A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PMLH. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 5V. Spec info: Horizontal Deflection Output Applications. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 08:25.

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FJL6920

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Condizionamento: tubo di plastica. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Deflessione orizzon...
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Condizionamento: tubo di plastica. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 5.5. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 30A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 25
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Condizionamento: tubo di plastica. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 5.5. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 30A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 25
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