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Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC5803

Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC5803
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Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC5803. Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 12A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: C5803. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 05:25.

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KSC5803

KSC5803

Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 12A. Custodia ...
KSC5803
Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 12A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA (F). Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: C5803. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Spec info: For C-Monitor (85KHz). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 12A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA (F). Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: C5803. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Spec info: For C-Monitor (85KHz). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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