FP25R12W2T4

FP25R12W2T4. C(in): 1.45pF. Tipo di canale: N. Corrente del collettore: 39A. Ic(impulso): 50A. Ic(T=100°C): 25A. Dimensioni: 56.7x48x12mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 175W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 0.46 ns. Td(acceso): 0.08 ns. Tecnologia: Modulo ibrido IGBT. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.2V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.4V. Funzione: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Numero di terminali: 33dB. Nota: 7x IGBT+ CE Diode. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 08:25.