FQAF11N90C

FQAF11N90C. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-3P. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQAF11N90C. Tensione drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 130 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 270 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3290pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 120W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Rds sulla resistenza attiva: 0.91 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 30. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 08:25.