FQA10N80C

FQA10N80C. C(in): 2150pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 730 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.32A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: FQA10N80C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 240W. Rds sulla resistenza attiva: 0.93 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 44 nC). Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 21:25.