Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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FQA9N90C-F109

FQA9N90C-F109
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FQA9N90C-F109. C(in): 2100pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: FQA9N90C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. Rds sulla resistenza attiva: 1.12 Ohms. RoHS: sì. Peso: 4.7g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 44 nC). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 11:25.

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FQA13N80-F109
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQA13N80. Tensione drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 130 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 320 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 155 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 1
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQA13N80. Tensione drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 130 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 320 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 155 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 1
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