Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 8.69€ | 10.60€ |
2 - 2 | 8.26€ | 10.08€ |
3 - 4 | 8.08€ | 9.86€ |
5 - 9 | 7.82€ | 9.54€ |
10 - 19 | 7.65€ | 9.33€ |
20 - 29 | 7.39€ | 9.02€ |
30 - 32 | 7.13€ | 8.70€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 8.69€ | 10.60€ |
2 - 2 | 8.26€ | 10.08€ |
3 - 4 | 8.08€ | 9.86€ |
5 - 9 | 7.82€ | 9.54€ |
10 - 19 | 7.65€ | 9.33€ |
20 - 29 | 7.39€ | 9.02€ |
30 - 32 | 7.13€ | 8.70€ |
Transistor a canale N, 8A, 12.6A, 100uA, 0.58 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V - FQA13N80-F109. Transistor a canale N, 8A, 12.6A, 100uA, 0.58 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 12.6A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.58 Ohms. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 2700pF. Costo): 275pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 850 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 44 nC). Protezione GS: NINCS. Id(imp): 50.4A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 155 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Prodotto originale del produttore Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 01/08/2025, 10:25.
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