FQA13N80-F109

FQA13N80-F109. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQA13N80. Tensione drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 130 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 320 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 155 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 1. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.