FQA28N15

FQA28N15. C(in): 1250pF. Costo): 260pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 132A. ID (T=100°C): 23.3A. ID (T=25°C): 33A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 227W. Rds sulla resistenza attiva: 0.067 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 150V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 40 nC). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 08:25.