Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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FQA24N50

FQA24N50
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2 - 2 8.97€ 10.94€
3 - 4 8.50€ 10.37€
5 - 9 8.02€ 9.78€
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FQA24N50. C(in): 3500pF. Costo): 520pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 96A. ID (T=100°C): 12.5A. ID (T=25°C): 24A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 290W. Rds sulla resistenza attiva: 0.156 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 80 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 90 nC). Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 08:25.

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FQA24N60

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C(in): 4200pF. Costo): 550pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 4...
FQA24N60
C(in): 4200pF. Costo): 550pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 470 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 94A. ID (T=100°C): 14.9A. ID (T=25°C): 23.5A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 90 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 90 nC). Protezione GS: NINCS
FQA24N60
C(in): 4200pF. Costo): 550pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 470 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 94A. ID (T=100°C): 14.9A. ID (T=25°C): 23.5A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 90 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 90 nC). Protezione GS: NINCS
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UC3842BD1
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UC3842BD1
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ESM106M050S1A5C110

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ESM106M050S1A5C110
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ESM106M050S1A5C110
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SPA04N60C3

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SPA04N60C3
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CEL100UF25V-D

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CEL100UF25V-D
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