FQA70N10

FQA70N10. C(in): 2500pF. Costo): 720pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 280A. ID (T=100°C): 49.5A. ID (T=25°C): 70A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 214W. Rds sulla resistenza attiva: 0.019 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: carica gate bassa (tipica 85 nC). Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 08:25.