FQA11N90C

FQA11N90C. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQA11N90C. Tensione drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 130 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 270 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3290pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 08:25.