FQA62N25C

FQA62N25C. C(in): 4830pF. Costo): 945pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 340 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 248A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 62A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 298W. Rds sulla resistenza attiva: 0.029 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 245 ns. Td(acceso): 75 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 250V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 44 nC). Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 08:25.