Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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FQPF19N20

FQPF19N20
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FQPF19N20. C(in): 1220pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 140 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 11.8A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.12 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 20 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 09:25.

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FQPF19N20C

FQPF19N20C

C(in): 830pF. Costo): 195pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 208 ns. Tipo di transistor: MOSFET...
FQPF19N20C
C(in): 830pF. Costo): 195pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 208 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 43W. Rds sulla resistenza attiva: 0.14 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 135 ns. Td(acceso): 15 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
FQPF19N20C
C(in): 830pF. Costo): 195pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 208 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 43W. Rds sulla resistenza attiva: 0.14 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 135 ns. Td(acceso): 15 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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