Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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FQPF4N90C

FQPF4N90C
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FQPF4N90C. C(in): 740pF. Costo): 65pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 47W. Rds sulla resistenza attiva: 3.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 17nC, Crss basso 5,6pF. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 19:25.

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C(in): 1150pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 900ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 15A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K3565. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 170 ns. Td(acceso): 70 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì
2SK3565
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C(in): 1140pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): na. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): na. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 2.1 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 210 ns. Td(acceso): 55 ns. Tecnologia: HVX-2 Series POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS
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C(in): 1140pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): na. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): na. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 2.1 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 210 ns. Td(acceso): 55 ns. Tecnologia: HVX-2 Series POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS
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