Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SK2671

2SK2671
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2SK2671. C(in): 1140pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): na. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): na. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 2.1 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 210 ns. Td(acceso): 55 ns. Tecnologia: HVX-2 Series POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 15:25.

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C(in): 1200pF. Costo): 20pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 15A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K2717. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 2.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 90 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione ad alta velocità, alta tensione, convertitori DC/DC. Protezione GS: sì
2SK2717
C(in): 1200pF. Costo): 20pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 15A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K2717. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 2.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 90 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione ad alta velocità, alta tensione, convertitori DC/DC. Protezione GS: sì
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