Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 5A, 5A, 100uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V - 2SK3565

Transistor a canale N, 5A, 5A, 100uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V - 2SK3565
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 2.67€ 3.26€
5 - 9 2.53€ 3.09€
10 - 24 2.40€ 2.93€
25 - 49 2.27€ 2.77€
50 - 66 2.09€ 2.55€
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5 - 9 2.53€ 3.09€
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Transistor a canale N, 5A, 5A, 100uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V - 2SK3565. Transistor a canale N, 5A, 5A, 100uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1150pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 900ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 15A. Marcatura sulla cassa: K3565. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 170 ns. Td(acceso): 70 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 19/04/2025, 22:25.

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2SK2717

2SK2717

Transistor a canale N, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo...
2SK2717
Transistor a canale N, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.3 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1200pF. Costo): 20pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 15A. Marcatura sulla cassa: K2717. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 90 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione ad alta velocità, alta tensione, convertitori DC/DC. Protezione GS: sì
2SK2717
Transistor a canale N, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.3 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1200pF. Costo): 20pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 15A. Marcatura sulla cassa: K2717. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 90 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione ad alta velocità, alta tensione, convertitori DC/DC. Protezione GS: sì
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STP6NK90ZFP

STP6NK90ZFP

Transistor a canale N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=100°C): 3.65A....
STP6NK90ZFP
Transistor a canale N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.56 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1350pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 840 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P6NK90ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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Transistor a canale N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.56 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 1350pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 840 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P6NK90ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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3.53€ IVA incl.
(2.89€ Iva esclusa)
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Nota: pompa dissaldante. Dimensioni: 190x20mm...
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IRFP31N50L
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IRFP31N50L
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Quantità in magazzino : 20
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Diametro: 28...45um. Eutettico: sì. Punto di solidificazione (°C): +217°C. Punto di fusione (°C)...
PPE-TIN2-E008G
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IRFP064N
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4.98€ IVA incl.
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4.98€
Quantità in magazzino : 5116
TKR101M1EE11

TKR101M1EE11

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TKR101M1EE11
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0.1092€ IVA incl.
(0.0895€ Iva esclusa)
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MOR2WS-0R22

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Resistenza: 0.22 Ohms. Potenza: 2W. Tipo di resistore: strato metallico. Stabilità della temperatur...
MOR2WS-0R22
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MOR2WS-0R22
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0.15€ IVA incl.
(0.12€ Iva esclusa)
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Quantità in magazzino : 19
TDA2050

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Numero di terminali: 5. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. All...
TDA2050
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TDA2050
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5.10€ IVA incl.
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5.10€
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UF5405

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Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 150A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-...
UF5405
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UF5405
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0.27€ IVA incl.
(0.22€ Iva esclusa)
0.27€
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BT152-800R

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BT152-800R
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BT152-800R
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