FQT1N60CTF

FQT1N60CTF. C(in): 130pF. Costo): 19pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 190 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: FQT1N60C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.1W. Rds sulla resistenza attiva: 9.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 13 ns. Td(acceso): 7 ns. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 4. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 09:25.