FQPF9N90C

FQPF9N90C. C(in): 2100pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Rds sulla resistenza attiva: 1.12 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: interruttore rapido, carica gate bassa 40nC, Crss basso 14pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 19:25.