Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 241.94€ | 295.17€ |
2 - 2 | 229.84€ | 280.40€ |
3 - 4 | 217.74€ | 265.64€ |
5 - 9 | 205.65€ | 250.89€ |
10 - 14 | 200.81€ | 244.99€ |
15 - 19 | 195.97€ | 239.08€ |
20+ | 193.55€ | 236.13€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 241.94€ | 295.17€ |
2 - 2 | 229.84€ | 280.40€ |
3 - 4 | 217.74€ | 265.64€ |
5 - 9 | 205.65€ | 250.89€ |
10 - 14 | 200.81€ | 244.99€ |
15 - 19 | 195.97€ | 239.08€ |
20+ | 193.55€ | 236.13€ |
FS75R12KE3GBOSA1. C(in): 5300pF. Tipo di canale: N. Corrente del collettore: 100A. Ic(impulso): 150A. Ic(T=100°C): 75A. Marcatura sulla cassa: FS75R12KE3G. Dimensioni: 122x62x17.5mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 355W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 42us. Td(acceso): 26us. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.65V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Funzione: ICRM 150A Tp=1ms. Numero di terminali: 35. Nota: 6x IGBT+ CE Diode. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 09:25.
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