FQT4N20LTF

FQT4N20LTF. C(in): 240pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 90 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 3.4A. ID (T=100°C): 0.55A. ID (T=25°C): 0.85A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.2W. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 7 ns. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Costo): 36pF. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 12:25.