FQU11P06

FQU11P06. C(in): 420pF. Costo): 195pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 83 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 37.6A. ID (T=100°C): 5.95A. ID (T=25°C): 9.4A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 6.5 ns. Tecnologia: DMOS POWER-MOSFET. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: QFET, Low gate charge (typ--13ns). Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 09:25.