Transistor a canale N, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V - FQU20N06L

Transistor a canale N, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V - FQU20N06L. Transistor a canale N, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=100°C): 10.9A. ID (T=25°C): 17.2A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.046 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 480pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 54 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 68.8A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Carica gate bassa (tipicamente 9,5 nC). Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 17:25.