FQU20N06L

FQU20N06L. C(in): 480pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 54 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 68.8A. ID (T=100°C): 10.9A. ID (T=25°C): 17.2A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Rds sulla resistenza attiva: 0.046 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Carica gate bassa (tipicamente 9,5 nC). Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 11:25.