Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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FQPF20N06L

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1 - 4 1.85€ 2.26€
5 - 9 1.76€ 2.15€
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FQPF20N06L. C(in): 480pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 54 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 62.8A. ID (T=100°C): 11.1A. ID (T=25°C): 15.7A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 0.042 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 17nC, Crss basso 5,6pF. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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STP16NF06L

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C(in): 345pF. Costo): 72pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min....
STP16NF06L
C(in): 345pF. Costo): 72pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 64A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.08 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Low Gate Charge. Protezione GS: NINCS
STP16NF06L
C(in): 345pF. Costo): 72pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 64A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.08 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Low Gate Charge. Protezione GS: NINCS
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PP-1746
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MOR2W-680K

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Resistenza: 680k Ohms. Potenza: 2W. Tipo di resistore: strato metallico. Stabilità della temperatur...
MOR2W-680K
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Resistenza: 100 Ohms. Potenza: 3W. Tipo di resistore: strato metallico. Stabilità della temperatura...
MFR3-100R
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CCAP10UF100V

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Capacità: 10uF. Diametro: 8mm. Durata di vita: 1000 heures. Lunghezza: 11mm. Configurazione: montag...
CCAP10UF100V
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CCAP10UF100V
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MOR2WS-100K

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Resistenza: 100k Ohms. Potenza: 2W. Tipo di resistore: strato metallico. Stabilità della temperatur...
MOR2WS-100K
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MOR2WS-100K
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