Transistor

C(in): 900pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Yfs--8-16S. Id(imp): 75A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: K2507. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 0.046 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Tipo MOS ad effetto di campo (L2-TT-MOSV). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 50V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: sì

C(in): 220pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 4A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K2538. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Power F-MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 250V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Regolatore di commutazione. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MOS (TT.MOSV). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. Quantità per scatola: 1

C(in): 1300pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K2545. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 45 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

C(in): 1800pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Speed, H.V. Id(imp): 15A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 1.9 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 80 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Speed, H.V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII). Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 800V. Quantità per scatola: 1

C(in): 2040pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 1.6us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: High Speed, H.V. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K2611. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 95 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII). Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 150pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor ad effetto di campo. Protezione GS: soppressore. Id(imp): 6A. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: ZA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.33 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: Tipo MOS (L2.TT.MOSV). Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89 ( 2-5K1B ). Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

C(in): 700pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 25 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 16A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 1mA. Marcatura sulla cassa: K2625. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 20 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FI. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 3.5V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 550pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultrahigh-Speed Switching Applications. ID (T=100°C): 1.3A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 1mV. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 3.6 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: V-MOS (F). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FI-LS. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 5.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3.5V. Protezione drain-source: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 950pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: K2640. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.73 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 900pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100nA. ID (min): 10nA. Marcatura sulla cassa: K2645. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 450pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: K2647. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 3.19 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 900pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 1.78 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 780pF. Costo): 200pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K2662. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 1.35 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 25 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Funzione: High Speed Switching, Zener-Protected. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo (TT-MOS V). Protezione GS: sì

C(in): 1140pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): na. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): na. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 2.1 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 210 ns. Td(acceso): 55 ns. Tecnologia: HVX-2 Series POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

C(in): 2600pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K2699. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: TO-3P ( TO3P ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

C(in): 750pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 9A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K2700. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 3.7 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 55 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione ad alta velocità, alta tensione, convertitori DC/DC. Protezione GS: sì

C(in): 280pF. Costo): 58pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 410 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Id(imp): 6A. ID (T=25°C): 2A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 2A. Marcatura sulla cassa: K2715. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 1200pF. Costo): 20pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 15A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K2717. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 2.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 90 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione ad alta velocità, alta tensione, convertitori DC/DC. Protezione GS: sì

C(in): 830pF. Costo): 430pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta corrente. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 10uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 28m Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 21 ns. Tecnologia: Transistor di potenza ad effetto di campo. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

C(in): 800pF. Costo): 65pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Id(imp): 14A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: K2750. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 1.7 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 85 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSV). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 1100pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 75 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1850pF. Costo): 400pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 2.5us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione di potenza ad alta velocità. Id(imp): 48A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): na. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. Td(spento): 140 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Transistor MOSFET a canale N. Potenza: 175W. Tf(min): TO-3P ( TO3P ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 700V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 2040pF. Costo): 640pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 48A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): na. Marcatura sulla cassa: K2842. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 180 ns. Td(acceso): 58 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (TT.MOSV). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì