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Transistor

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2SK2843

2SK2843

C(in): 2040pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain...
2SK2843
C(in): 2040pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 40A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): na. Marcatura sulla cassa: K2843. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 190 ns. Td(acceso): 58 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( 2-10R1B ). Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (TT.MOSV). Protezione GS: sì
2SK2843
C(in): 2040pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 40A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): na. Marcatura sulla cassa: K2843. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 190 ns. Td(acceso): 58 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( 2-10R1B ). Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (TT.MOSV). Protezione GS: sì
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4.26€ IVA incl.
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Esaurito
2SK2850

2SK2850

C(in): 950pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 900ns. Tipo di transistor: MOSFET....
2SK2850
C(in): 950pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 900ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 1.87 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: TT-MOSV. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -...+150°. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
2SK2850
C(in): 950pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 900ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 1.87 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: TT-MOSV. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -...+150°. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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11.44€ IVA incl.
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2SK2937

2SK2937

C(in): 740pF. Costo): 380pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione d...
2SK2937
C(in): 740pF. Costo): 380pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione di potenza ad alta velocità. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.045 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 10 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO–220FM. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
2SK2937
C(in): 740pF. Costo): 380pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione di potenza ad alta velocità. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.045 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 10 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO–220FM. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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5.83€ IVA incl.
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2SK2968

2SK2968

C(in): 2150pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Tipo di transistor:...
2SK2968
C(in): 2150pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 1.05 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: FIELD EFFECT MOS Type--(TT-MOS-III). Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 900V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Convertitore DC-DC, relè e azionamento motore. Protezione GS: sì
2SK2968
C(in): 2150pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 1.05 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: FIELD EFFECT MOS Type--(TT-MOS-III). Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio Vds(max): 900V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Convertitore DC-DC, relè e azionamento motore. Protezione GS: sì
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15.04€ IVA incl.
(12.33€ Iva esclusa)
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2SK3053

2SK3053

C(in): 790pF. Costo): 240pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 40...
2SK3053
C(in): 790pF. Costo): 240pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 75A. ID (T=100°C): 12.5A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 10uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 0.028 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì
2SK3053
C(in): 790pF. Costo): 240pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 75A. ID (T=100°C): 12.5A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 10uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 0.028 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì
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12.32€ IVA incl.
(10.10€ Iva esclusa)
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2SK3065

2SK3065

C(in): 160pF. Costo): 85pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Tipo di transistor: M...
2SK3065
C(in): 160pF. Costo): 85pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 10uA. Marcatura sulla cassa: KE. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.32 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 120ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: MOS FET. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89 ( MTP3 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD KE. Protezione GS: sì
2SK3065
C(in): 160pF. Costo): 85pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2A. Idss (massimo): 10uA. Marcatura sulla cassa: KE. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.32 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 120ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: MOS FET. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89 ( MTP3 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD KE. Protezione GS: sì
Set da 1
0.94€ IVA incl.
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2SK3114

2SK3114

C(in): 550pF. Costo): 115pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 1.3us. Tipo di transistor: MOSFET....
2SK3114
C(in): 550pF. Costo): 115pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 1.3us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 100uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 1.6 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 2.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: MOSFET di commutazione POWER, uso industriale. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
2SK3114
C(in): 550pF. Costo): 115pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 1.3us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 100uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 1.6 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 2.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: MOSFET di commutazione POWER, uso industriale. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
Set da 1
4.95€ IVA incl.
(4.06€ Iva esclusa)
4.95€
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2SK3176

2SK3176

C(in): 5400pF. Costo): 1900pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 270 ns. Tipo di transistor: MOSF...
2SK3176
C(in): 5400pF. Costo): 1900pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 270 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 38m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 190 ns. Td(acceso): 55 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo MOS-V. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Regolatore della modalità di commutazione, convertitore DC-DC, driver del motore. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
2SK3176
C(in): 5400pF. Costo): 1900pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 270 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 38m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 190 ns. Td(acceso): 55 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo MOS-V. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Regolatore della modalità di commutazione, convertitore DC-DC, driver del motore. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
Set da 1
8.71€ IVA incl.
(7.14€ Iva esclusa)
8.71€
Esaurito
2SK3199

2SK3199

C(in): 650pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 2us. Tipo di transistor: MOSFET. F...
2SK3199
C(in): 650pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 2us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.1uA. Equivalenti: FS5KM-10-AW. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: V-MOS (F). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220F-3L. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1
2SK3199
C(in): 650pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 2us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.1uA. Equivalenti: FS5KM-10-AW. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: V-MOS (F). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220F-3L. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1
Set da 1
7.49€ IVA incl.
(6.14€ Iva esclusa)
7.49€
Quantità in magazzino : 1
2SK3264-01MR

2SK3264-01MR

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 28A. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 7A. P...
2SK3264-01MR
Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 28A. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 1.62 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SILICON POWER MOS-FET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 800V. Quantità per scatola: 1. Funzione: High Speed Switching, Low on-res, Low driving power
2SK3264-01MR
Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 28A. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 1.62 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SILICON POWER MOS-FET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 800V. Quantità per scatola: 1. Funzione: High Speed Switching, Low on-res, Low driving power
Set da 1
11.10€ IVA incl.
(9.10€ Iva esclusa)
11.10€
Quantità in magazzino : 1
2SK3502-01MR

2SK3502-01MR

C(in): 1200pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 0...
2SK3502-01MR
C(in): 1200pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 0.75us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 40A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 0.58 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Nota: Panasonic--B1CERR000022. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
2SK3502-01MR
C(in): 1200pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 0.75us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 40A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 0.58 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Nota: Panasonic--B1CERR000022. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
Set da 1
14.13€ IVA incl.
(11.58€ Iva esclusa)
14.13€
Quantità in magazzino : 1
2SK3528-01R

2SK3528-01R

C(in): 2280pF. Costo): 290pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 0...
2SK3528-01R
C(in): 2280pF. Costo): 290pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 0.7us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 84A. ID (T=25°C): 21A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 0.29 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 78 ns. Td(acceso): 26 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Protezione GS: NINCS
2SK3528-01R
C(in): 2280pF. Costo): 290pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 0.7us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 84A. ID (T=25°C): 21A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 0.29 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 78 ns. Td(acceso): 26 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Protezione GS: NINCS
Set da 1
10.47€ IVA incl.
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2SK3530-01MR

2SK3530-01MR

C(in): 740pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 2.3 ns. ...
2SK3530-01MR
C(in): 740pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 2.3 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 1.46 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 21 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
2SK3530-01MR
C(in): 740pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 2.3 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 1.46 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 21 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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2SK3561

2SK3561

C(in): 1050pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scato...
2SK3561
C(in): 1050pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K3561. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.75 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 26 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì
2SK3561
C(in): 1050pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K3561. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.75 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 26 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì
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2SK3562

2SK3562

C(in): 1050pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1000 ns...
2SK3562
C(in): 1050pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 6A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 6A. Marcatura sulla cassa: K3562. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
2SK3562
C(in): 1050pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 6A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 6A. Marcatura sulla cassa: K3562. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
Set da 1
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(2.17€ Iva esclusa)
2.65€
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2SK3563

2SK3563

C(in): 550pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola...
2SK3563
C(in): 550pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 5A. Marcatura sulla cassa: K3563. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 1.35 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. Protezione GS: sì
2SK3563
C(in): 550pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. Ids: 100uA. Idss (massimo): 5A. Marcatura sulla cassa: K3563. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 1.35 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. Protezione GS: sì
Set da 1
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2SK3564

2SK3564

C(in): 700pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola...
2SK3564
C(in): 700pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 850 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 9A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K3564. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 3.7 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 125 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì
2SK3564
C(in): 700pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 850 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 9A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K3564. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 3.7 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 125 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì
Set da 1
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(2.46€ Iva esclusa)
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2SK3565

2SK3565

C(in): 1150pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scato...
2SK3565
C(in): 1150pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 900ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 15A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K3565. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 170 ns. Td(acceso): 70 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì
2SK3565
C(in): 1150pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 900ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 15A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K3565. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 170 ns. Td(acceso): 70 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì
Set da 1
3.26€ IVA incl.
(2.67€ Iva esclusa)
3.26€
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2SK3566

2SK3566

C(in): 470pF. Costo): 50pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola...
2SK3566
C(in): 470pF. Costo): 50pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 720 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 7.5A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K3566. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 5.6 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì
2SK3566
C(in): 470pF. Costo): 50pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 720 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 7.5A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K3566. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 5.6 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì
Set da 1
2.67€ IVA incl.
(2.19€ Iva esclusa)
2.67€
Quantità in magazzino : 89
2SK3567

2SK3567

Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOS...
2SK3567
Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 3.5A. Ids: 100mA. Idss (massimo): 3.5A. Marcatura sulla cassa: K3567. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 1.7 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Protezione GS: sì
2SK3567
Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 3.5A. Ids: 100mA. Idss (massimo): 3.5A. Marcatura sulla cassa: K3567. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 1.7 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Protezione GS: sì
Set da 1
2.46€ IVA incl.
(2.02€ Iva esclusa)
2.46€
Quantità in magazzino : 9
2SK3568

2SK3568

C(in): 1500pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scato...
2SK3568
C(in): 1500pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K3568. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 170 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì
2SK3568
C(in): 1500pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K3568. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 170 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì
Set da 1
2.85€ IVA incl.
(2.34€ Iva esclusa)
2.85€
Quantità in magazzino : 5
2SK3569

2SK3569

C(in): 1500pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condiz...
2SK3569
C(in): 1500pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 40A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K3569. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. RoHS: sì. Peso: 1.7g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 180 ns. Td(acceso): 50 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): SC-67, 2-10U1B. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (TT-MOSVI). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
2SK3569
C(in): 1500pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 40A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K3569. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. RoHS: sì. Peso: 1.7g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 180 ns. Td(acceso): 50 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): SC-67, 2-10U1B. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (TT-MOSVI). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
Set da 1
3.10€ IVA incl.
(2.54€ Iva esclusa)
3.10€
Esaurito
2SK363

2SK363

C(in): 700pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola...
2SK363
C(in): 700pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 850 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Ids: 100uA. Numero di terminali: 3. Rds sulla resistenza attiva: 3.7 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 125 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Protezione GS: sì
2SK363
C(in): 700pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 850 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Ids: 100uA. Numero di terminali: 3. Rds sulla resistenza attiva: 3.7 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 125 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Protezione GS: sì
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2SK3667

2SK3667

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. ...
2SK3667
Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K3667. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.75 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
2SK3667
Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K3667. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.75 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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2SK3679

2SK3679

C(in): 1100pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 3.2us. ...
2SK3679
C(in): 1100pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 3.2us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: K3679. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 95W. Rds sulla resistenza attiva: 1.22 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
2SK3679
C(in): 1100pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 3.2us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: K3679. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 95W. Rds sulla resistenza attiva: 1.22 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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