Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SK3502-01MR

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2SK3502-01MR. C(in): 1200pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 0.75us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 40A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Rds sulla resistenza attiva: 0.58 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Nota: Panasonic--B1CERR000022. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 16:25.

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C(in): 850pF. Costo): 44pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 11NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.37 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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C(in): 850pF. Costo): 44pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 11NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.37 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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C(in): 1000pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET...
STF18NM60N
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C(in): 1000pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 18NM60. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 0.26 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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