Transistor

C(in): 430pF. Costo): 60pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 14.8A. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 3.7A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: K3699. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 43W. Rds sulla resistenza attiva: 3.31 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione GS: NINCS

C(in): 2200pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1700 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K3799. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 120ns. Td(acceso): 65 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( SC-67 ). Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 96pF. Costo): 29pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 2.8A. ID (T=25°C): 0.7A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: K3850. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Rds sulla resistenza attiva: 14 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 9 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

C(in): 2200pF. Costo): 45pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1.4us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 5.3A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: K3878. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 120ns. Td(acceso): 65 ns. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Protezione GS: sì

C(in): 4250pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1350 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Regolatore di commutazione. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 500uA. Marcatura sulla cassa: K3911. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.22 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 80 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Tipo MOS ad effetto di campo (MACH-II-MOS VI). Alloggiamento: TO-3PN. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

C(in): 4250pF. Costo): 420pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 380 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Regolatore di commutazione. Id(imp): 92A. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 500uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 80 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: Tipo MOS ad effetto di campo (MACH-II-MOS VI). Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 4 v. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: sì

C(in): 2400pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Id(imp): 52A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K4012. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.33 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 95 ns. Td(acceso): 70 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (TT-MOS VI). Protezione GS: sì

C(in): 1400pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Id(imp): 18A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K4013 Q. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 1.35 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 220 ns. Td(acceso): 80 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( 2-10U1B ). Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (TT-MOS IV). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter, Motor driver. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 60V. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (U-MOS III)

C(in): 2900pF. Costo): 450pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 33 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni di commutazione ad alta corrente. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 60A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: K4075. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 52W. Rds sulla resistenza attiva: 5.2m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 18 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Tecnologia: MOSFET DI POTENZA, transistor ad effetto di campo. Protezione GS: NINCS

C(in): 3400pF. Costo): 320pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): n/a. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.21 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 280 ns. Td(acceso): 130 ns. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (MOS VI). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: V-MOS. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Voltaggio Vds(max): 800V

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 2.5 Ohms. Voltaggio Vds(max): 850V

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Tecnologia: V-MOS. Voltaggio Vds(max): 800V

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 4 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Voltaggio Vds(max): 800V. Nota: (F)

C(in): 900pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Id(imp): 12A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Rds sulla resistenza attiva: 4 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: V-MOS S-L. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Spec info: Samsung B4054-0018. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 1.8A. ID (T=25°C): 0.6A. Idss (massimo): 0.6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD. Voltaggio Vds(max): 100V. Funzione: Azionamento a relè, azionamento a motore

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 25A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.046 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Voltaggio Vds(max): 60V

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 26A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: F-II Series POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 800V

Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Fast-switching. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: D13009K. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220C. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: D209L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(min): 0.7us. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE massimo: 20. Guadagno hFE minimo: 16. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 3A. Marcatura sulla cassa: 4202BD. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Tf(min): 0.7us. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.18V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 490V. Vebo: 13V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

C(in): 7pF. Costo): 5.9pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 0.6A. ID (T=25°C): 0.15A. Idss (massimo): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.15W. Rds sulla resistenza attiva: 3.7 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: transistor MOSFET al silicio. Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): SSFP. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 1.3V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.4V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-343. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 4. Tensione drain-source Uds [V]: 12.5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1V. Capacità del gate Ciss [pF]: 2pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V/40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 300mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W