3DD4202BD

3DD4202BD. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE massimo: 20. Guadagno hFE minimo: 16. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 3A. Marcatura sulla cassa: 4202BD. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Tf(min): 0.7us. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.18V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 490V. Vebo: 13V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 18:25.